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| 性狀： | 熔點?670?°C(lit.) 密度?5.6?g/mL?at 25?°C(lit.) 形態(tài)gray orthorhombic crystals or brown powder |
| 質(zhì)量標準： | 概述硒化鍺一種正交晶系離子性晶體，具有穩(wěn)定的半導體性能。硒化鍺可由GeCl2與H2Se反應可制得。純凈的GeSe是由Ge粉末與Se粉末按合適比例熔合得到的。硒化鍺分類根據(jù)晶型結構分類，可分為：α-GeSeβ-GeSe、γ-GeSe、δ-GeSe和ε-GeSe硒化鍺五種單層晶型，它們均表現(xiàn)出穩(wěn)定的半導體特性。不同的是β-GeSe、γ-GeSe、δ-ChemicalbookGeSe和ε-GeSe晶型結構是間接帶隙半導體材料,而α-GeSe是直接帶隙半導體.β-GeSe單層材料適用于光催化分解水。 參考文獻[1]http://www.chazidian.com/baike/477878/[2]張勝利,劉尚果,黃世萍,等.單層硒化鍺多形體的結構特性和電子性質(zhì)[J].ScienceChinaMaterials,2015(12). |
