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MoO3 晶體
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JD200602084935 MoO3 晶體 大于10平方毫米 1片裝 0元 咨詢客服 3天
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性狀： 材料名稱

Name

MoO3

性質(zhì)分類

Electrical   properties

層狀氧化物

禁帶寬度

Bangap

0   eV

合成方法

Synthetic   method

CVT

晶體結(jié)構(gòu)

Crystal   Structure


剝離難易程度

Degree   of difficulty for exfoliation

容易
質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)： 參考文獻(xiàn)

1， Das, Tilak, Sergio Tosoni, and Gianfranco Pacchioni. "Structural and electronic properties of bulk and ultrathin layers of V2O5 and MoO3." Computational Materials Science 163 (2019): 230-240.

2，Dang, Yang, et al. "Solution processed hybrid Graphene-MoO3 hole transport layers for improved performance of organic solar cells." Organic Electronics 67 (2019): 95-100.

3，Li, Yungui, et al. "Ultrathin MoO3 Layers in Composite Metal Electrodes: Improved Optics Allow Highly Efficient Organic Light‐Emitting Diodes." Advanced Optical Materials 7.3 (2019): 1801262.