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HfTe2 碲化鉿
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分子式： -- 分子量： --
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JD200601113623 HfTe2 碲化鉿 超高純 1g 2000元 咨詢客服 3天
JD200601113545 HfTe2 碲化鉿 高純 1g 1000元 咨詢客服 3天
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性狀： 晶體種類： Semiconductor
純度： >99.999 %
表征方法： EDS，SEM，Raman
bandgap： 0 eV
質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)：
參考文獻(xiàn)：

1， Klipstein, P. C., et al. "Electronic properties of HfTe2." Journal of Physics C: Solid State Physics 19.25 (1986): 4953.

2，Mangelsen, S., et al. "Large nonsaturating magnetoresistance and pressure-induced phase transition in the layered semimetal HfTe 2." Physical Review B 96.20 (2017): 205148.

3，Smeggil, J. G., and S. Bartram. "The preparation and x ray characterization of HfTe2? x, x= 0.061." Journal of Solid State Chemistry 5.3 (1972): 391-394.