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基本性質(zhì):
無摻雜二硫化鉬是層狀N型半導(dǎo)體，屬于過渡金屬二硫族化合物，塊狀能帶間隙為1.23eV （間接帶隙），單層MoS2帶隙~1.85eV（直接帶隙）。

制造方法：
化學(xué)氣相沉積法， Chemical Vapor Deposition （CVD）

產(chǎn)品簡介：
六碳科技的MoS2薄膜分為多種：
1） 單層離散分布的三角狀單晶晶粒，三角邊長一般是幾十至一百微米。
2） 由三角晶粒繼續(xù)長大連在一起的單層連續(xù)薄膜。
3） 多層MoS2 連續(xù)薄膜。
4） 基底：MoS2可選基底較多，其中最常用的硅片基底、帶氧化層硅片基底和藍(lán)寶石基底為直接沉積產(chǎn)品。其他基底例如PET，PI，ITO，F(xiàn)TO，玻璃，金屬基底等是通過在藍(lán)寶石上生長后轉(zhuǎn)移至客戶所需基底。

應(yīng)用領(lǐng)域：
光電器件，微電子器件，生物傳感，化學(xué)傳感等領(lǐng)域。

包裝及規(guī)格
10*10mm,15*15mm,20*20mm,2英寸圓片，4英寸圓片 或客戶指定的定制尺寸。
凈化抽真空包裝， 1片/盒，5片/盒。10片/盒。

典型客戶包括：
MIT、加州理工、斯坦福大學(xué)；
牛津大學(xué)、曼徹斯特大學(xué)；
首爾大學(xué)、韓國科學(xué)技術(shù)院（KAIST）、成均館大學(xué)；
東京工業(yè)大學(xué)、村田制作所
清華大學(xué)、北京大學(xué)、中科院半導(dǎo)體所
等世界一流研究機(jī)構(gòu)。