4007787550
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| 貨號 | 品名 | 規(guī)格 | 包裝 | 單價 | 貨期 | 庫存 |
| JD200601105341 | Ta2NiS5 晶體 | 大于25平方毫米 | -- | 2720元 | 咨詢客服 | 3天 |
| JD200601105253 | Ta2NiS5 晶體 | 大于10平方毫米 | -- | 1900元 | 咨詢客服 | 3天 |
| 性狀： | TaNiS5 晶體 晶體大小： 3~10 mm 晶體種類： Magnetic semiconductor 純度： >99.999 % 表征方法： EDS，SEM，Raman 晶體生長方式： CVT 化學氣相傳輸法 更多信息： 請咨詢：sales@6carbon.com |
| 質(zhì)量標準： | 參考文獻 1， Sunshine, Steven A., and James A. Ibers. "Structure and physical properties of the new layered ternary chalcogenides tantalum nickel sulfide (Ta2NiS5) and tantalum nickel selenide (Ta2NiSe5)." Inorganic Chemistry 24.22 (1985): 3611-3614. 2，Di Salvo, F. J., et al. "Physical and structural properties of the new layered compounds Ta2NiS5 and Ta2NiSe5." Journal of the Less Common Metals 116.1 (1986): 51-61. 3， Larkin, T. I., et al. "Infrared phonon spectra of quasi-one-dimensional Ta 2 NiSe 5 and Ta 2 NiS 5." Physical Review B 98.12 (2018): 125113. 4， Yan, Bingzheng, et al. "Ternary chalcogenide Ta 2 NiS 5 as a saturable absorber for a 1.9 μm passively Q-switched bulk laser." Optics letters 44.2 (2019): 451-454. |
