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AgTaS3晶體
別名： --
Cas號(hào)： -- M D L： --
分子式： -- 分子量： --
貨號(hào) 品名 規(guī)格 包裝 單價(jià) 貨期 庫(kù)存
JD200528091929 AgTaS3晶體 大于20平方毫米 -- 5120元 咨詢客服 3天
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性狀： 材料名稱

Name

AgInP2Se6

性質(zhì)分類(lèi)

Electrical   properties


拓?fù)洳牧希雽?dǎo)體，紅外材料,非線性材料，鐵電材料

禁帶寬度

Bangap

0.622 eV

合成方法

Synthetic   method

CVT

剝離難易程度

Degree of difficulty for exfoliation


易

Easy
保存注意事項(xiàng)

Notice
晶體穩(wěn)定，不需要特殊保存

Stable
質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)： 參考文獻(xiàn)：

A. Dziaugys, J. Banys, J. Macutkevic & Ju. Vysochanskii (2009) Dielectric Properties of New AgInP2Se6 Crystals, Ferroelectrics, 391:1, 151-157, DOI: 10.1080/00150190903004718