4007787550
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| 貨號(hào) | 品名 | 規(guī)格 | 包裝 | 單價(jià) | 貨期 | 庫存 |
| JD200528090955 | Ag3Sb晶體 | -- | 大于20平方毫米 | 5120元 | 咨詢客服 | 3天 |
| JD200528090846 | Ag3Sb晶體 | -- | 大于10平方毫米 | 3120元 | 咨詢客服 | 3天 |
| 性狀： | Ag2Te晶體 材料名稱 Name Ag2Te 性質(zhì)分類 Electrical properties 拓?fù)浣^緣體，熱電材料，紅外材料，離子導(dǎo)體 Topological Insulators 禁帶寬度 Bangap 0 eV 合成方法 Synthetic method CVT 晶體結(jié)構(gòu) Crystal Structure monoclinic 剝離難易程度 Degree of difficulty for exfoliation 難 Difficult |
| 質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)： | 參考文獻(xiàn) 1，Miyatani, Shin-ya. "Ionic Conduction in β-Ag2Te and β-Ag2Se." Journal of the Physical Society of Japan 14.8 (1959): 996-1002. 2，Tregouet, Y., and J. C. Bernede. "Silver movements in Ag2Te thin films: switching and memory effects." Thin Solid Films 57.1 (1979): 49-54. 3，Zhang, Wei, et al. "Topological Aspect and Quantum Magnetoresistance of β? Ag 2 Te." Physical review letters 106.15 (2011): 156808. |
