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CVD二氧化硅基底單層二硫化鎢
Single Layer WS2 on SiO2
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JD190703154307 CVD二氧化硅基底單層二硫化鎢 -- 1盒 11880元 咨詢客服 3天
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質(zhì)量標準： 形態(tài)：薄膜

參數(shù)

基底：二氧化硅

基底尺寸：9 mmx9 mm

WS2片徑大?。?0-50 μm

厚度：0.6～0.8 nm

 

應用

該類材料缺陷少，光學性質(zhì)優(yōu)良，層數(shù)可控，是研究層數(shù)和熒光效應和制備器件的優(yōu)異材料。