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機械剝離氧化鋁基底單層二硫化鉬
Mechanical exfoliation MoS2 on Al2O3
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JD190703152301 機械剝離氧化鋁基底單層二硫化鉬 -- 1盒 7700元 咨詢客服 3天
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質(zhì)量標準: 形態(tài):薄膜

參數(shù)

基底:氧化鋁
基底尺寸:10 mmx10 mm
MOS2面積: >10 μm2

機械剝離制備的二硫化鉬,相比較鋰插層制備的單層類石墨烯材料,該類材料具有缺陷少,優(yōu)異的光學(xué)性質(zhì),可以研究層數(shù)和熒光效應(yīng),此外,由于保持了原有晶格結(jié)構(gòu),所以該類材料是制備器件的理想材料。