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| 性狀： | 規(guī)格：可以做到2英寸、3英寸，正常晶向為、，特殊晶向也可以加工。磷化銦（InP）是一種重要的化合物半導體材料，具有電子極限漂移速度高、耐輻射性好、導熱好的優(yōu)點。 適用于制造高頻、高速、大功率微波器件和集成電路。在固態(tài)發(fā)光、微波通信、光纖通信、太陽能電池、制導/導航、衛(wèi)星等民用和軍事等領域的應用十分廣闊。 |
| 質量標準： | 品種： 類型： 濃度（cm-3）： 遷移率(cm2/V.S)： 電阻率(?.cm)： 位錯密度(cm-2)： Un-InP
>1700 ---- <1000 S-InP N 5*1017 >1700 ----- <1000 Zn-InP P 0.6*1018 >50 ------ <1000 Fe-InP N 107~108 >1700 >107 <1000 |
