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GaASⅢ-Ⅴ族襯底片
別名： --
Cas號(hào)： -- M D L： --
分子式： -- 分子量： --
物流提示：偏遠(yuǎn)地區(qū)如新疆西藏寧夏甘肅等地可能無法運(yùn)送液體，下單前請聯(lián)系客服。
性狀： 可以提供EPD<500 、 <300 、<100、＜50 的高質(zhì)量LD級(jí)外延用GaAs ------
專業(yè)提供“激光領(lǐng)域” 用高質(zhì)量 110um厚雙拋GaAs      ------
專業(yè)生產(chǎn)定制高質(zhì)量砷化鎵襯底片GaAs wafer、多晶棒。尺寸 2"     3"    4"      6"  ， 晶向（100）（111），類型：N- type 摻Si， P- type 摻Zn，半絕緣Undope 。
質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)： Parameter

Guaranteed / Actual Values

UOM

Growth Method:

VGF


Conduct Type:

S-C-P


Dopant:

GaAs-Zn


Diameter:

50.8± 0.4

mm

Orientation:

(100)± 0.50


OF location/length:

EJ [ ]± 0.50/16±1


IF location/length:

EJ [ 0-1 1 ]± 0.50/7±1


Ingot CC:

Min: 1.4 E19

Max: 1.9 E19

/cm3

Resistivity:

Min: N/A

Max: N/A

?·cm

Mobility:

Min: N/A

Max: N/A

cm2/v.s

EPD:

Min: 600

Max: 700

/ cm2

Thickness:

350±25

μm

Surface Finish– front:

Polished


Surface Finish –back:

Etched


Epi-Ready:

Yes