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GaAS電池片
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Cas號： -- M D L： --
分子式： -- 分子量： --
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性狀： 砷化鎵電池片GaAs屬于III-V族化合物半導(dǎo)體材料，其能隙與太陽光譜的匹配較適合，且能耐高溫。與硅太陽電池相比，GaAs太陽電池具有更好的性能。砷化鎵電池與硅光電池的比較：

光電轉(zhuǎn)化率：
砷化鎵的禁帶較硅為寬，使得它的光譜響應(yīng)性和空間太陽光譜匹配能力較硅好。硅電池的理論效率大概為23%，而單結(jié)的砷化鎵電池理論效率達(dá)到27%，而多結(jié)的砷化鎵電池理論效率更超過50%。實際應(yīng)用中硅的效率在18%左右，砷化鎵卻能達(dá)到40%。
質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)： 提供空間用電池和地面電站用電池。
1. 空間用：轉(zhuǎn)換效率η≥30%

2.  地面用：轉(zhuǎn)換效率η≥40%
貯存： 耐溫性
常規(guī)上，砷化鎵電池的耐溫性要好于硅光電池，砷化鎵電池在250℃的條件下仍可以正常工作，但是硅光電池在200℃就已經(jīng)無法正常運行。