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| 性狀： | 銻化鎵（GaSb）是一種非常重要的Ⅲ-Ⅴ族直接帶隙半導(dǎo)體材料，是Ⅱ類(lèi)超晶格非制冷中長(zhǎng)波紅外探測(cè)器及焦平面陣列的關(guān)鍵材料。 非制冷中長(zhǎng)波紅外探測(cè)器具有長(zhǎng)壽命、輕量化、高靈敏度、高可靠性等等優(yōu)點(diǎn)；該產(chǎn)品廣泛應(yīng)用在紅外激光器、紅外探測(cè)器、紅外傳感器、熱光伏電池。 名稱：GaSb wafer （銻化鎵）單晶片 規(guī)格：2英寸、3英寸和4英寸； 晶向:、， 特殊晶向也可以加工。 |
| 質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)： | 品種： 類(lèi)型： 濃度 （cm-3）： 遷移率(cm2/V.S) 位錯(cuò)密度 (cm-2)： Un-GaSb P 1~2*1017 600~700 <1000 Zn-GaSb P 5*1017 200~500 <1000 Te-GaSb N 1~60*1017 2000~3500 |
