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專利干氧離子分層氧化均勻性<1%，氧化層致密無漏電，各種特殊厚度要求均可提供；

可提供100nm.285nm、300nm、500nm、1um、2um等不同尺寸進(jìn)口氧化硅片

Thermal oxidation 熱氧化（1、干氧/ 2、干氧+濕氧+干氧）

等級(jí)/Grade

Prime                      Coating thickness: 5nm to 10000nm±1%超平整氧化厚度均勻性<1%；

直徑/Diameter

4inch /100mm  (1 inch – 8 inch / 25.4mm – 200mm)

厚度/Thickness

50nm、100nm、200nm、285nm、300nm、500nm、800nm、1um、2um、3um、5um、8um、10um, etc.5nm到10um各種厚度均可定制.

表面狀態(tài)/Finish

SSPDSP，etc.單拋單面氧化、單拋雙面氧化、雙拋單面氧化、雙拋單面氧化等；

晶向/orientation

（100）（111）（110）（211）（311）（511）(531)，etc.

晶向偏角/Off cut

up to 7deg

摻雜類型/Type/Dopant

P/B,N/Phos，N/Sb，N/As，Intrinsic

電阻率/Resistivity

CZ/MCZ: From 0.001 to  100 ohm.cm

FZ:     From 100 to >20000 ohm.cm

薄膜/Thin films

PVD:Al、Ni、Cu、Ti、Ag、Au、Pt、Fe、Mo，etc.     Coating thickness: up to 3000nm±5%

LPCVD/PECVD:Oxide、Nitride、TEOS、LTO、SIPOS、SiC、POLY、etc.  Coatingthickness: up to 3000nm±3%

Thermal oxidation:Oxide     Coatingthickness: 5nm to 10000nm±1%

Silicon epitaxial wafers and epitaxial services（SOS、GOI、SOI、GaN、GaAs、InP,etc.)

加工服務(wù)/Processes

定制單雙拋單雙面氧化硅片、超薄、超厚、超平氧化硅片、切割不同尺寸、不同形狀，打孔氧化硅片；

SSP,DSP,ultrathin，ultra flat，etc.

打孔、掏圓、切割、減薄/Punch、Downsizing、dicing、back grinding，etc.