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2月13日，小米年度旗艦手機小米10正式發(fā)布，其中有一款手機搭載Type-C 65W氮化鎵充電器脫穎而出。雷軍在發(fā)布會上介紹，氮化鎵是一種新型半導(dǎo)體材料，做出的充電器體積特別小，充電效率卻特別高，像小米氮化鎵65W充電器，比標(biāo)配的65W充電器體積要小一半，而要把Mi 10 PRO充滿電只需要45分鐘。
氮化鎵是由氮和鎵組成的一種半導(dǎo)體材料，因其禁帶寬度（半導(dǎo)體的一個重要特征參量，決定著器件的耐壓和最高工作溫度）大于2.2eV，也被稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料。
外界更為熟悉的碳化硅，其實也是寬禁帶半導(dǎo)體，因此，氮化鎵和碳化硅在特性上有很多相似之處，比如都有較高的電子遷移率和耐高溫性。
若進一步比較，氮化鎵的高頻特性會比碳化硅更好，且硅基氮化鎵的成本更低，應(yīng)用場景主要是在10kw和900v以下。
實際上氮化鎵并不是一個新鮮事物，它在國外已經(jīng)推了十幾年，國內(nèi)也早有研究，早在1990年氮化鎵就應(yīng)用在在發(fā)光二極管中，1998年中國十大科技成果之一是合成納米氮化鎵。
品利基金在一份研報中指出，氮化鎵目前的應(yīng)用方向主要有三個：一是光電領(lǐng)域，如LED、VCSEL傳感器等；二是功率領(lǐng)域，包括快充頭、變頻器、新能源汽車、消費電子等電子電力器件；三是射頻領(lǐng)域，包括5G基站、軍事雷達、低軌衛(wèi)星、航天航空等領(lǐng)域。
最近幾年隨著大家對氮化鎵研究的不斷深入，氮化鎵的應(yīng)用越來越廣，而且最近幾年開始成為第3代芯片材料。
與傳統(tǒng)的硅芯片材料相比，氮化鎵優(yōu)勢是非常明顯的，傳統(tǒng)的硅芯片材料本身就有一些缺陷，比如當(dāng)溫度超過200攝氏度后，硅基設(shè)備開始出故障，而相對來說，氮化鎵的堅硬性好，熔點高達1700℃，其耐高溫程度要遠遠超過普通的圭硅心片材料，此外氮化鎵能應(yīng)對的電場強度也是硅的50多倍。
也正因為氮化鎵具有良好的耐熱性能，因此由其制成的電子設(shè)備幾乎不需要冷卻，很多電子設(shè)備配備氮化鎵晶體管后將不再需要高能耗的冷卻系統(tǒng)，從而減少電子設(shè)備的能耗。
隨著GaN產(chǎn)品在消費電子滲透率提升和5G基建剛需的帶動下，成本下降，應(yīng)用場景將進一步擴大到5G基站、新能源汽車、激光雷達、數(shù)據(jù)中心等，這給平板變壓器未來應(yīng)用場景帶來更多可能。
原本在航天發(fā)展里面，所有的東西都是專用的。比如說衛(wèi)星，本身實際上就是太空計算機，衛(wèi)星這個行業(yè)它的本質(zhì)其實是在近地軌道上放置一個計算機，通過火箭完成發(fā)射，并且把這個太空計算機放到近地軌道上。隨后，這個太空計算機在太空中把光能轉(zhuǎn)化為電能，繼而進行運算。因為衛(wèi)星運行軌道上有太空射線、溫差等一系列的特殊的空間環(huán)境，所以我們必須使用專用芯片。但是，經(jīng)過七八年左右的發(fā)展，太空芯片已經(jīng)可以和地面的芯片，包括汽車工業(yè)體系進行融合。可以看出，科技在其中起到非常重大的推動作用，包括太空材料的進步，也包括氮化鎵的運用。
